特許

J-GLOBAL ID：200903033076599190

強誘電体キャパシタと、強誘電体キャパシタ及び強誘電体膜の形成方法

発明者： 青木 克裕 ,  福田 幸夫 ,  西村 明俊
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-047863
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222711
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【構成】 Pt電極6と、この電極上に形成されたPZT強誘電体膜17とを具備し、電極6とPZT強誘電体膜17との界面に、前記強誘電体膜の構成金属元素の酸化物の1つであるTiOX 層31が堆積されている強誘電体キャパシタと、その形成方法。【効果】 ゾルーゲル法等の成膜方法において緻密な構造であってかつ良好な電気的特性を示すPZT等の強誘電体薄膜の形成を可能にする電極構造を有するキャパシタと、このキャパシタ及び強誘電体膜の形成方法を提供することができる。

請求項（抜粋）：

電極と、この電極上に形成された強誘電体膜とを具備し、前記電極と前記強誘電体膜との界面に、前記強誘電体膜の構成金属元素のうちの少なくとも1種の元素の酸化物が堆積されている強誘電体キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体メモリの記憶用キヤパシタおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-178614   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-032072   出願人：三菱電機株式会社
• 強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035838   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション