特許

J-GLOBAL ID：200903029641085492

位相シフトマスクおよび、これを用いたパターン露光方法

発明者： 菅長 利文
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090127
公開番号（公開出願番号）：特開2005-275138
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 マスクパターンサイズが50nm以下パターンを露光する場合に、そのNILS値を改善する位相シフトマスクおよび、これを用いたパターン露光方法を提供する。【解決手段】 本発明の位相シフトマスクは、位相シフト部に隣接する部分に、位相差2nπ(n=0,1,2,3・・・)となる半透明膜を設け、隣接する領域を透過する光の透過率を低くすることにより、この領域からの漏れ光をカットする。マスク寸法が50nm以下の微細パターンにおいて、NILS値の悪化を防止するものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

透過する露光光に位相差を与え、透過露光光の相互干渉を利用して解像度の向上を図るクロムレス型位相シフトマスクであって、 透明基板と、 前記透明基板上に形成された位相シフト部と、 前記位相シフト部に隣接して形成され、前記露光光の透過率を低くする透過率調整部と、を備え、 前記透過率調整部は、露光光との位相差が2nπ(n=0,1,2,3・・・)であることを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (3件)：

G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (4件)：

G03F1/08 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P ,  H01L21/30 528

Fターム (9件)：

2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB17 ,  2H095BC24 ,  2H095BC28 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 位相シフトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-067224   出願人：大日本印刷株式会社