超伝導体薄膜成長基板及びトンネル接合

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053463
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268265
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】バッファ層を介することなく、コヒーレンス長に異方性がある YBCO に代表される超伝導体薄膜の面内での主軸cが一方向に揃った(90度ドメインのない)、しかも超伝導転移温度が〜90Kを示す YBCO 薄膜のa軸配向薄膜の成長が実現できる基板の選定に関する指針と具体的基板結晶を提示し、かつ、中間絶縁材料にも同系の材料を用いることで、SIS トンネル接合における欠点を解決すること。【構成】上記目的は、基板結晶と、超伝導特性の異方性の大きい酸化物高温超伝導体の超伝導コヒーレンス長の長い方向である結晶主軸のa軸またはb軸が前記基板結晶の表面に垂直に配向し、かつ、超伝導コヒーレンス長の短い方向である結晶主軸のc軸が前記基板結晶の表面に平行に一方向に配列した酸化物高温超伝導体薄膜とからなる積層構造体において、上記結晶基板が正方晶系 K2NiF4 構造の結晶で、かつ、{100}または{010}結晶面からなることを特徴とする酸化物超伝導体薄膜成長基板とすることによって達成することができる。

請求項（抜粋）：

基板結晶と、超伝導特性の異方性の大きい酸化物高温超伝導体の超伝導コヒーレンス長の長い方向である結晶主軸のa軸またはb軸が前記基板結晶の表面に垂直に配向し、かつ、超伝導コヒーレンス長の短い方向である結晶主軸のc軸が前記基板結晶の表面に平行に一方向に配列した酸化物高温超伝導体薄膜とからなる積層構造体において、上記結晶基板が正方晶系 K2NiF4 構造の結晶で、かつ、{100}または{010}結晶面からなることを特徴とする酸化物超伝導体薄膜成長基板。

IPC (2件)：

H01L 39/02 ZAA , H01L 39/22 ZAA

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-002696
特開平2-230920
特開昭58-124019

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