特許

J-GLOBAL ID：200903029660983051

磁気トンネル接合素子及びその製造方法、並びに磁気トンネル効果型磁気ヘッド及びその製造方法

発明者： 菅原 淳一 ,  中塩 栄治 ,  熊谷 静似
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-314291
公開番号（公開出願番号）：特開2001-134913
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 バルクハウゼンノイズの発生を抑制する。【解決手段】 所定の方向に磁化が固定された第1の磁性層と、第1の磁性層上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された外部磁界に応じて磁化方向を変化させる第2の磁性層とを備え、第2の磁性層上には、その両端部に非導電性の磁区制御膜が形成されている。

請求項（抜粋）：

所定の方向に磁化が固定された第1の磁性層と、上記第1の磁性層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された外部磁界に応じて磁化方向を変化させる第2の磁性層とを備え、上記第2の磁性層上には、その両端部に非導電性の磁区制御膜が形成されていることを特徴とする磁気トンネル接合素子。

IPC (7件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/34 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12

FI (9件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/34 ,  H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 U ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12

Fターム (15件)：

5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AB10 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5E049DB20 ,  5E049FC08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果型素子及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-341037   出願人：株式会社日立製作所
• 電極薄膜とその製造方法および電極薄膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-321919   出願人：日本電気株式会社