特許
J-GLOBAL ID：200903029669866198
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194472
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040588
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 チクソトロピー性の高い封止材料にあっては上面を平滑にして印刷することができると共に、チクソトロピー性の低い封止材料にあっては流れ出し量を小さくして印刷することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板3に半導体素子1を電気的に接続して搭載し、開口部6を設けて形成したマスク5を開口部6の内側に半導体素子1を位置させて配線基板3に重ねる。マスク5の上に供給された封止材料4をスキージ7で擦ってマスク5の開口部6を通して印刷することによって、封止材料4で半導体素子1を封止する。このようにして封止を行なうにあたって、開口部6の内周のその内径が配線基板3側がスキージ7側よりも大きくなるように形成したマスク5を用いて印刷を行なう。
請求項（抜粋）：
配線基板に半導体素子を電気的に接続して搭載し、開口部を設けて形成したマスクを開口部の内側に半導体素子を位置させて配線基板に重ね、マスクの上に供給された封止材料をスキージで擦ってマスクの開口部を通して印刷することによって、封止材料で半導体素子を封止するにあたって、開口部の内周面をその内径が配線基板側がスキージ側よりも大きくなるように形成したマスクを用いて印刷を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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