半導体光電極、その製造方法及び光エネルギ変換装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-123629
公開番号（公開出願番号）：特開2006-297300
出願日： 2005年04月21日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】光の吸収効率を高め、さらに電荷の再結合を防止した半導体光電極、及び光電変換効率を高めた光エネルギ変換装置を提供する。【解決手段】表面に凹凸を構成した金属基板2と、金属基板2表面に形成された光触媒作用を有する材料から成る半導体層3とを備える半導体光電極。金属基板の表面の平均粗さは1〜4ミクロンが好ましく、光触媒を有する材料としてはTi,Nb,Ta,W,V,Co,Fe,Ni,及びInの中から選択される少なくとも一種以上の元素を含むことが好ましい。また、半導体層の厚さは0.1〜1ミクロンであることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に凹凸を構成した金属基板と、前記金属基板表面に形成された光触媒作用を有する材料から成る半導体層と、を備えることを特徴とする半導体光電極。

IPC (4件)：

B01J 35/02 , B01J 23/30 , C01B 3/04 , H01M 14/00

FI (4件)：

B01J35/02 J , B01J23/30 M , C01B3/04 A , H01M14/00 P

Fターム (49件)：

4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BA04B , 4G169BA17 , 4G169BA48A , 4G169BB04B , 4G169BC18A , 4G169BC50A , 4G169BC54A , 4G169BC55A , 4G169BC56A , 4G169BC60A , 4G169BC60B , 4G169BC66A , 4G169BC67A , 4G169BC68A , 4G169EB05 , 4G169EB16X , 4G169EB16Y , 4G169EB18Y , 4G169FA01 , 4G169FA04 , 4G169FB03 , 4G169FB15 , 4G169FB23 , 4G169FB33 , 4G169FB40 , 4G169FB73 , 4G169HA02 , 4G169HB01 , 4G169HB06 , 4G169HD10 , 4G169HD14 , 4G169HD23 , 4G169HE09 , 5F051AA20 , 5F051CB13 , 5F051CB24 , 5F051FA19 , 5F051GA02 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032BB02 , 5H032BB05 , 5H032BB07 , 5H032EE01 , 5H032EE15 , 5H032EE16 , 5H032HH04

引用特許：

審査官引用 (6件)

放射線触媒装置並びに水素製造方法及びこれを利用した水素製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-082896 出願人：財団法人電力中央研究所
次亜塩素酸水の製造方法及び利用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-377146 出願人：中島孝俊
炭酸ガス変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-104977 出願人：株式会社日立製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構

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