原子層堆積絶縁層

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：杉村興作 , 高見和明 , 徳永博 , 岩佐義幸 , 藤谷史朗 , 来間清志 , 冨田和幸
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-509146
公開番号（公開出願番号）：特表2006-523952
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】小サイズ、低電力かつ高信頼性のトランジスタを提供するために、シリコン酸化物以外の材料でゲート絶縁体を製造する。【解決手段】原子層堆積した絶縁層及びこうした絶縁層の製造方法が、SiO2を用いて達成可能であるより薄い実効酸化膜厚を有する高信頼性の絶縁層を提供する。原子層堆積によってハフニウム金属層を基板上に堆積させて、原子層堆積によってこのハフニウム金属層上に酸化ハフニウム層を堆積させて、シリコン酸化物のほとんどない酸化ハフニウム絶縁層を形成する。原子層堆積した酸化ハフニウムを含む絶縁層は熱力学的に安定であり、酸化ハフニウムは処理中にシリコン基板または他の構造と最小限の反応を行う。

請求項（抜粋）：

原子層堆積によって基板上に金属の層を形成するステップと; 原子層堆積によって前記金属上に前記金属の酸化物を形成するステップとを具えていることを特徴とする絶縁層の形成方法。

IPC (12件)：

H01L 21/316 , C23C 16/06 , C23C 16/40 , C23C 16/455 , C23C 16/14 , H01L 29/78 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (10件)：

H01L21/316 X , H01L21/316 C , C23C16/06 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/14 , H01L29/78 301G , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/04 C

Fターム (50件)：

4K030AA01 , 4K030AA03 , 4K030BA10 , 4K030BA42 , 4K030BB13 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038DF04 , 5F038DF05 , 5F038EZ02 , 5F038EZ05 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF22 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BJ01 , 5F058BJ04 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP49 , 5F083EP50 , 5F083JA03 , 5F083PR21 , 5F101BA07 , 5F101BA26 , 5F101BA35 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BH02 , 5F140AA01 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-322458 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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