特許

J-GLOBAL ID：200903029722068835

半導体装置の製造方法

発明者： 中島 高士
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055448
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 高さのばらつきがなく、実装が容易で信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の第1の半導体装置の製造方法の特徴は、回路パターン1を具備した電極回路基板4上に半導体装置3を実装するとともに、前記回路パターン1を前記半導体装置3と電気的に接続する半導体装置実装工程と、前記電極回路基板上に、導電性粒子と接続性を有する樹脂とを混練してなる導電性ペーストをインクとし、部分的に貫通孔を有してなるマスクスクリーンMを介して、前記回路パターン1に接続するように、スクリーン印刷を行い、硬化させることにより、電極回路基板表面に突出した突起からなる外部接続端子5を形成する突起印刷工程とを具備したことにある。

請求項（抜粋）：

回路パターンを具備した電極回路基板上に半導体装置を実装するとともに、前記回路パターンを前記半導体装置と電気的に接続する半導体装置実装工程と、前記電極回路基板に、導電性粒子と接続性を有する樹脂とを混練してなる導電性ペーストをインクとし、部分的に貫通孔を有してなるマスクスクリーンを介して前記回路パターンに接続するようにスクリーン印刷を行い、硬化させることにより、電極回路基板表面に突出した突起からなる外部接続端子を形成する突起印刷工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  B41M 1/12 ,  B41M 3/00 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  B41M 1/12 ,  B41M 3/00 Z ,  H01L 21/60 311 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-144944
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-175829   出願人：ソニー株式会社