特許
J-GLOBAL ID：200903029728513253
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086137
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297415
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【構成】本発明においては少数キャリアが拡散し消滅するまでの距離である、少数キャリアの拡散長という概念を取り入れ、素子内に形成されるPN接合の界面より、少数キャリアの拡散長離して低ライフタイム層32を形成するための結晶欠陥31を形成する。【効果】本発明によれば、高速スイッチング素子内に形成する結晶欠陥をPN接合より少数キャリアの拡散長内に形成する事により、少数キャリアのライフタイムを低下させる事ができ、スイッチング速度を向上させまたオン抵抗を低減する事ができ素子の特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板とこの半導体基板の所定の領域内に形成された第二導電型の領域と前記半導体基板内に結晶欠陥を有する半導体装置において、前記結晶欠陥は前記第一導電型の半導体基板内に、前記第一導電型の半導体基板と前記第二導電型の領域の界面から前記半導体基板の少数キャリアの拡散長離れた位置までの範囲に中心を持つことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/861
, H01L 21/322
