特許

J-GLOBAL ID：200903029729841645

半導体装置及びその製造方法

発明者： 林 浩美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053507
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246547
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 MISFETのソース/ドレイン領域に安定して自己整合的にコンタクトホールを形成する技術を提供する。【解決手段】 半導体表面を有する基板と、基板の半導体表面領域に配置されたMISFETであって、基板の表面上に形成されたゲート電極、及び基板の表面層にかつ該ゲート電極の両側にそれぞれ形成されたソース領域とドレイン領域とを含むMISFETと、ゲート電極の表面を被覆する第1の絶縁層と、ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方の領域とオーミック接触し、かつ第1の絶縁層の表面の一部の領域に接触する導電層と、第1の絶縁層の表面上の領域のうち、層間接続層が接触していない領域に形成され、金属の酸化物からなる第2の絶縁層であって、該金属のフッ化物の沸点が250°C以上である第2の絶縁層とを有する。

請求項（抜粋）：

半導体表面を有する基板と、前記基板の半導体表面上に形成されたゲート電極、及び前記基板の表面層にかつ該ゲート電極の両側にそれぞれ形成されたソース領域とドレイン領域とを含むトランジスタと、前記ゲート電極の表面を被覆する第1の絶縁層と、前記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方の領域とオーミック接触し、かつ前記第1の絶縁層の表面の一部の領域に接触する導電層と、前記第1の絶縁層の表面上の領域のうち、前記導電層が接触していない領域に形成され、金属の酸化物からなる第2の絶縁層であって、該金属のフッ化物の沸点が250°C以上である前記第2の絶縁層とを有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-344703   出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• セルフアライン・コンタクト孔の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-319550   出願人：日本電気株式会社