特許
J-GLOBAL ID：200903029742155599
カーボンナノチューブの作製方法,電流制御素子及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-324145
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135187
出願日： 2004年11月08日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 半導体基板中に、カイラリティ及びサイズが制御されたカーボンナノチューブの配列を作製し、電流制御特性の向上を図る。【解決手段】 SiCからなる半導体基板40上のマスク42に、リソグラフィによって微細な小孔44のパターンを形成した後、半導体基板40を真空化で加熱すると、前記小孔44内に露出した基板表面が分解して珪素原子が失われ、カーボンのキャップ構造46が生成する。更に、加熱を続けると、前記キャップ構造46から、前記半導体基板40を厚み方向に貫くように、カーボンナノチューブ18が成長する。得られたカーボンナノチューブ18は、ジグザグ型構造にカイラリティが制御されるとともに、チューブ径(サイズ)及び配列も制御されている。このようなカーボンナノチューブ18を導電部として利用することにより、電流制御素子の特性が大幅に向上する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
導電性の半導体層の少なくとも一部を、その両面側から絶縁層で挟み込んだ積層構造を有する基板と、前記積層構造を厚み方向に貫通する少なくとも一つ以上のカーボンナノチューブからなる導電部とを備えたことを特徴とする電流制御素子。
IPC (5件)：
H01L 29/06
, B82B 3/00
, C01B 31/02
, H01L 29/66
, H01J 1/304
H01L29/06 601N
, B82B3/00
, C01B31/02 101F
, H01L29/66 E
, H01J1/30 F
4G146AA11
, 4G146BB23
, 5C135AA09
, 5C135AA15
, 5C135AB07
, 5C135HH03
, 5C135HH04
