成塚重弥

ナリツカシゲヤ | Naritsuka Shigeya

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (4件)：電子デバイス、電子機器 , 電気電子材料工学 , 結晶工学 , 応用物性

競争的資金等の研究課題 (38件)：

2019 - 2023 蛍光バイオイメージング用小型光源をめざした超短パルス半導体レーザの要素技術開発
2019 - 2023 オペランドEXAFS測定によるカーボンナノチューブ生成メカニズムの解明
2015 - 2020 ヘテロエピタキシャル成長プラットホーム実現に関する基礎的検討
2014 - 2019 先端半導体・先端機能材料の3D活性サイト創製
2014 - 2017 流速支援液相成長を用いたGaNテンプレート基板の成長

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論文 (141件)：

Shigeya Naritsuka, Yukio Kato, Masami Nonogaki, Ryoya Yokoi, Kohei Osamura, Yuta Yanase, Takahiro Maruyama. A-plane GaN microchannel epitaxy on r-plane sapphire substrate using patterned graphene mask. Journal of Crystal Growth. 2024. 630
Shusaku Karasawa, Takahiro Saida, Kamal Prasad Sharma, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama. Single-walled carbon nanotube growth from Ni catalyst particles under conventional growth conditions by alcohol catalytic chemical vapor deposition: in situ X-ray absorption fine structure study. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SG
Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Yuichi Haruyama, Toru Asaka, Takahiro Maruyama. In situ XAFS study on chemical states of Co and Ir nanoparticles under conventional growth condition of single-walled carbon nanotube via alcohol catalytic chemical vapor deposition. Chemical Physics Letters. 2022. 808. 140135-140135
Asato Nakashima, Tomoaki Murahashi, Ryosuke Achiwa, Tatsuya Kashio, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka. Direct precipitation of multilayer graphene on c-plane sapphire using a crystallized Ni catalyst. Journal of Crystal Growth. 2022. 598. 126885-126885
Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Daiki Yamamoto, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama. In situ XAFS study of the chemical state of a Co catalyst during single-walled carbon nanotube growth under conventional growth conditions using alcohol catalytic chemical vapor deposition. CHEMICAL PHYSICS LETTERS. 2022. 804

MISC (483件)：

丹羽和希, 深見健司, 野々垣誠望, 加藤雄騎人, 上田悠貴, 丸山隆浩, 成塚重弥. グラフェン/r面サファイア上でのGaN核生成の成長温度依存性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2609-2609
山本大貴, サラマカマル, 才田隆広, 成塚重弥, 丸山隆浩. Ir触媒を用いたアルコールCVD法によるSiO₂/Si基板上単層カーボンナノチューブ成長の成長温度依存性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2806-2806
深見健司, 丹羽和希, 小林裕太, 丸山隆浩, 成塚重弥. Ga-Ni溶液を用いた絶縁基板上での多層グラフェン核の直接成長. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2845-2845
村橋知明, 中島諒人, 丸山隆浩, 成塚重弥. 結晶化Ni薄膜を用いた析出成長グラフェンの品質向上. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2865-2865
樫尾達也, 深見健司, 丹羽和希, 中島諒人, 丸山隆浩, 成塚重弥. ナノダイヤモンドを用いたグラフェン直接析出成長のその場X線回折評価 --触媒厚さ依存性--. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2856-2856

特許 (25件)：

書籍 (11件)：

Chapter Four - Microchannel epitaxy of III-V layers on Si substrates Semiconductors and Semimetals, Vol. 101
Elsevier Ltd. 2019
Initial Growth Process of Carbon Nanotubes in Surface Decomposition of SiC
In Tech Co. 2011
新インターユニバーシティ「固体電子物性」
オーム社 2009
Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC
NOVA Science Publishers 2009
薄膜ハンドブック(第2版)
2008

Works (4件)：

化合物半導体発光素子の高速化
2001 -
Study of light emitting device of compound semiconductor
2001 -
Si基板上のInP無転位横方向成長の研究
1997 -
Study of dislocation free InP lateral growth on Si substrate
1997 -

学歴 (3件)：

1993 - 1996 東京大学大学院工学系研究科博士課程電子工学専攻
1979 - 1981 東京工業大学大学院総合理工学研究科修士課程電子システム専攻
1975 - 1979 名古屋工業大学工学部電子工学科

学位 (2件)：

博士(工学) (東京大学)
工学修士 (東京工業大学)

委員歴 (1件)：

1997 - 日本結晶成長学会理事

所属学会 (4件)：

日本物理学会 , 日本結晶成長学会 , 応用物理学会 , フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会

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