研究者
J-GLOBAL ID:200901025733562138   更新日: 2024年02月01日

成塚 重弥

ナリツカ シゲヤ | Naritsuka Shigeya
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (4件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性
競争的資金等の研究課題 (38件):
  • 2019 - 2023 蛍光バイオイメージング用小型光源をめざした超短パルス半導体レーザの要素技術開発
  • 2019 - 2023 オペランドEXAFS測定によるカーボンナノチューブ生成メカニズムの解明
  • 2015 - 2020 ヘテロエピタキシャル成長プラットホーム実現に関する基礎的検討
  • 2014 - 2019 先端半導体・先端機能材料の3D活性サイト創製
  • 2014 - 2017 流速支援液相成長を用いたGaNテンプレート基板の成長
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論文 (139件):
  • Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Yuichi Haruyama, Toru Asaka, Takahiro Maruyama. In situ XAFS study on chemical states of Co and Ir nanoparticles under conventional growth condition of single-walled carbon nanotube via alcohol catalytic chemical vapor deposition. Chemical Physics Letters. 2022. 808. 140135-140135
  • Asato Nakashima, Tomoaki Murahashi, Ryosuke Achiwa, Tatsuya Kashio, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka. Direct precipitation of multilayer graphene on c-plane sapphire using a crystallized Ni catalyst. Journal of Crystal Growth. 2022. 598. 126885-126885
  • Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Daiki Yamamoto, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama. In situ XAFS study of the chemical state of a Co catalyst during single-walled carbon nanotube growth under conventional growth conditions using alcohol catalytic chemical vapor deposition. CHEMICAL PHYSICS LETTERS. 2022. 804
  • Tatsuya Kashio, Asato Nakashima, Tomoaki Murahashi, Ryosuke Achiwa, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka. Nanodiamond as the carbon source for precipitation of multilayer graphene on a Si substrate. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. 6
  • Daiki Yamamoto, Shusaku Karasawa, Kamal Prasad Sharma, Takahiro Saida, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama. Iridium-Catalyzed Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis by Alcohol-Gas-Source Method Under Low Ethanol Pressure: Growth Temperature Dependence. Crystal Research and Technology. 2022. 57. 6. 2100226-2100226
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MISC (483件):
  • 丹羽 和希, 深見 健司, 野々垣 誠望, 加藤 雄騎人, 上田 悠貴, 丸山 隆浩, 成塚 重弥. グラフェン/r面サファイア上でのGaN核生成の成長温度依存性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2609-2609
  • 山本 大貴, サラマ カマル, 才田 隆広, 成塚 重弥, 丸山 隆浩. Ir触媒を用いたアルコールCVD法によるSiO2/Si基板上単層カーボンナノチューブ成長の成長温度依存性. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2806-2806
  • 深見 健司, 丹羽 和希, 小林 裕太, 丸山 隆浩, 成塚 重弥. Ga-Ni溶液を用いた絶縁基板上での多層グラフェン核の直接成長. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2845-2845
  • 村橋 知明, 中島 諒人, 丸山 隆浩, 成塚 重弥. 結晶化Ni薄膜を用いた析出成長グラフェンの品質向上. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2865-2865
  • 樫尾 達也, 深見 健司, 丹羽 和希, 中島 諒人, 丸山 隆浩, 成塚 重弥. ナノダイヤモンドを用いたグラフェン直接析出成長のその場X線回折評価 --触媒厚さ依存性--. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2021. 2021.1. 2856-2856
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特許 (25件):
書籍 (11件):
  • Chapter Four - Microchannel epitaxy of III-V layers on Si substrates Semiconductors and Semimetals, Vol. 101
    Elsevier Ltd. 2019
  • Initial Growth Process of Carbon Nanotubes in Surface Decomposition of SiC
    In Tech Co. 2011
  • 新インターユニバーシティ 「固体電子物性」
    オーム社 2009
  • Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC
    NOVA Science Publishers 2009
  • 薄膜ハンドブック(第2版)
    2008
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Works (4件):
  • 化合物半導体発光素子の高速化
    2001 -
  • Study of light emitting device of compound semiconductor
    2001 -
  • Si基板上のInP無転位横方向成長の研究
    1997 -
  • Study of dislocation free InP lateral growth on Si substrate
    1997 -
学歴 (3件):
  • 1993 - 1996 東京大学 大学院工学系研究科博士課程 電子工学専攻
  • 1979 - 1981 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 修士課程 電子システム専攻
  • 1975 - 1979 名古屋工業大学 工学部 電子工学科
学位 (2件):
  • 博士(工学) (東京大学)
  • 工学修士 (東京工業大学)
委員歴 (1件):
  • 1997 - 日本結晶成長学会 理事
所属学会 (4件):
日本物理学会 ,  日本結晶成長学会 ,  応用物理学会 ,  フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
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