特許
J-GLOBAL ID：200903029749461121
半導体磁器組成物とそれを用いた半導体磁器素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020165
公開番号（公開出願番号）：特開平9-208310
出願日： 1996年02月06日
公開日（公表日）： 1997年08月12日
要約：
【要約】【課題】 常温において低抵抗率かつ高温におけるB定数が大きい特性を有する半導体磁器組成物とそれを用いて得られる突入電流抑制用、モーター起動遅延用、ハロゲンランプ保護用または大電流用としても使用可能な半導体磁器素子を提供することであり、また、常温において低抵抗率かつB定数が大きく常温以下でのB定数も大きい半導体磁器組成物とそれを用いて得られる温度補償型水晶発振器用としての半導体磁器素子を提供することである。【解決手段】 ランタンコバルト系酸化物からなる負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物に、副成分として、クロム酸化物をクロムに換算して0.005〜30mol%含有している半導体磁器組成物である。
請求項（抜粋）：
ランタンコバルト系酸化物からなる負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物に、副成分として、クロム酸化物をクロムに換算して0.005〜30mol%含有していることを特徴とする半導体磁器組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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