半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-053134
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246665
出願日： 1996年03月11日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザの製造工程において、クラッド層の一部をエッチングによって逆メサ形状のリッジに形成する際、リッジ部側壁に(111) 面が露出しないようにする。【解決手段】 n-GaAs基板1上にn-InGaP クラッド層2、GaAsバリヤ層3、InGaAsウェル層4、GaAsバリヤ層5、p-InGaP クラッド層6、p-GaAsエッチングストップ層7、p-InGaP クラッド層8、p-GaAsキャップ層9を連続成長し、絶縁膜をマスクとして、p-GaAsキャップ層9およびp-InGaP クラッド層8を順次選択エッチングする。この際、p-GaAsキャップ層9のエッチングには硝酸を用い、P-InGaP クラッド層8のエッチングには塩酸と酢酸の混合酸を用いて、逆メサ形状のリッジをその両側面がリッジ長さ方向に垂直な面において凹面状となるように形成する。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体基板上に少なくとも第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層がこの順に形成され、前記第二導電型クラッド層の一部に逆メサ状のリッジが形成され、このリッジの両脇に第一導電型電流阻止層が形成されている半導体レーザにおいて、前記リッジの両側面が該リッジの長さ方向に垂直な面内において凹面状に湾曲していることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開昭62-066694
特開昭62-066694
半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-002112 出願人：株式会社東芝

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