エピタキシャル成長用基板およびエピタキシャルウエハ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064842
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277886
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：

【要約】【目的】 LED加工時におけるエピタキシャルウエハの割れ、あるいはキズの発生を抑制できるエピタキシャル成長用基板およびそれを用いたエピタキシャルウエハを提供する。【構成】 (100)の面方位を持つIII -V族化合物単結晶半導体ウエハにおいて、主面方位〔100〕方向から〔01-1〕、〔0-1-1〕、〔011〕又は〔0-1-1〕方向に傾けた面を持つ前記基板において、主オリエンテーションフラット面が傾けた方向と、60〜120°で交わる面であることを特徴とするIII -V族化合物半導体基板。

請求項（抜粋）：

(100)の面方位を持つIII -V族化合物単結晶半導体基板において、主面方位〔100〕方向から〔01-1〕、〔0-11〕、〔011〕または〔0-1-1〕方向に傾けた面を持つ前記基板において、主オリエンテーションフラット面が傾けた方向と60〜120°で交わる面であることを特徴とするIII -V族化合物半導体基板。

IPC (4件)：

C30B 25/20 , H01L 21/20 , H01L 21/68 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-094518
III -V族化合物半導体エピタキシャル層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-114319 出願人：古河電気工業株式会社
特開平2-307896

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