半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189011
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135312
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】ドレインにオフセット部を備えた構造の半導体装置について、用法に拘らず、オフセット部の制御を可能とし、オフセット部のピンチオフ電圧を容易に制御可能にして電流能力の向上を図り得るようにし、また微細化を図ることも可能とした半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ?@ドレイン2aにオフセット部3aを備えた構造の半導体装置において、少なくともドレイン側オフセット部制御用の電位印加部(ポリSi電極4または上層金属配線と同時に形成された金属電極4A等)を設ける。?Aドレインにオフセット部を備えた構造の半導体装置の製造方法において、少なくともドレイン側オフセット部3a及びゲート電極5をおおって電位印加部形成材料を設け、該電位印加部形成材料をパターニングして、少なくともドレイン側オフセット部制御用の電位印加部4を設ける。

請求項（抜粋）：

ドレインにオフセット部を備えた構造の半導体装置において、少なくともドレイン側オフセット部制御用の電位印加部を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-226965
特開昭63-045860
特開平4-252075

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