特許

J-GLOBAL ID：200903029826773980

半導体レーザ

発明者： 熊渕 康仁 ,  木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  上山 智 ,  西川 孝司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039404
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186397
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101上に、n型ZnSe層102、Zn0.9Mg0.1S0.1Se0.9n型クラッド層103n、ZnS0.06Se0.94n型光ガイド層104n、Zn0.8Cd0.2Se量子井戸活性層105、ZnS0.06Se0.94p型光ガイド層104p、Zn0.9Mg0.1S0.1Se0.9p型クラッド層103pa、ZnSep型キャップ層105、コンタクト層106が順次形成されている。さらに、p型光ガイド層104p中には、Zn0.7Cd0.3Se可飽和吸収層100が形成されている。この構造では、可飽和吸収層の体積を小さくすると同時に光ガイド層中に可飽和吸収層を設けている。可飽和吸収層の体積を小さくするほど、キャリア密度を容易に上げることができ、飽和状態になりやすく、可飽和吸収の効果が顕著となる。これにより、安定した自励発振特性が得られる。

請求項（抜粋）：

活性領域がII-VI族化合物半導体により構成され、自励発振特性を有することを特徴とする半導体レーザ。