特許
J-GLOBAL ID：200903029842892523
永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-038357
公開番号（公開出願番号）：特開平8-235538
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 CoCrPt合金薄膜の磁気ヒステリシスループの角型性を改善し、大きい飽和磁束密度を保ったまま残留磁束密度を大きくする事が可能な永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッドを提供すること。【構成】 基板1上に酸化アルミニュ-ム膜2,軟磁性薄膜3,非磁性スペ-サ薄膜4,及び磁気抵抗効果用薄膜5を順次積層して該磁気抵抗効果用薄膜5上にセンサ作動領域を設け、このセンサ作動領域を形成する前記軟磁性薄膜3,非磁性スペ-サ薄膜4,及び磁気抵抗効果用薄膜5の一端部と他端部の各側面を切除して切除面を形成し、該切除面を覆うようにして永久磁石バイアス薄膜211,212及び電極膜311,312を順次積層する。各切除面と永久磁石バイアス薄膜211,212との間に、下地膜としてクロム薄膜111,112を積層したこと。
請求項（抜粋）：
基板1上に酸化アルミニュ-ム膜2,軟磁性薄膜3,非磁性スペ-サ薄膜4,及び磁気抵抗効果用薄膜5を順次積層して該磁気抵抗効果用薄膜5上にセンサ作動領域を設け、このセンサ作動領域を形成する前記軟磁性薄膜3,非磁性スペ-サ薄膜4,及び磁気抵抗効果用薄膜5の一端部と他端部の各側面を切除して切除面を形成すると共に,当該切除面を覆うようにして永久磁石バイアス薄膜211,212及び電極膜311,312をそれぞれ順次積層し、前記各切除面と永久磁石バイアス薄膜211,212との間に、下地膜としてクロム薄膜111,112を積層したことを特徴とする永久磁石バイアス型磁気抵抗効果ヘッド。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11B 5/39
, H01L 43/08 U
, H01L 43/08 B
