集積型薄膜光電変換装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-102542
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298017
出願日： 1998年04月14日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】大面積の集積型薄膜光電変換装置を高い効率と精度で製造し得る方法を提供する。【解決手段】集積型薄膜光電変換装置の製造方法において、絶縁基板上に順次積層された第1電極層、光電変換層および第2電極層のうちの少なくとも1つの層を複数の光電変換セルに対応して分割するために直線状に互いに平行かつ等間隔Wに配置される複数の分割溝がレーザスクライブ法によって形成され、そのレーザスクライブ法においては複数のレーザビーム11〜14が用いられ、隣り合うビーム間の間隔21〜23は分割溝の間隔Wの2倍以上である整数倍に設定され、ビームと基板との間の相対的平行移動の間にビームの数に対応する数の分割溝が同時に形成されていく。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に順次積層された第1電極層、半導体光電変換層および第2電極層が複数の光電変換セルを形成するように分割されかつそれら複数のセルが電気的に直列接続される集積型薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記第1電極層、前記光電変換層および前記第2電極層のうちの少なくとも1つの層において、その層を前記複数のセルに対応して分割するために直線状で互いに平行かつ等間隔Wに配置される複数の分割溝がレーザスクライブ法によって形成され、前記レーザスクライブ法においては複数のレーザビームが用いられ、前記複数のレーザビームの隣り合うビーム間の間隔は前記分割溝の間隔Wの2倍以上である整数倍に設定され、前記レーザビームと前記基板との間の相対的平行移動の間に前記レーザビームの数に対応する数の前記分割溝が同時に形成されていくことを特徴とする集積型薄膜光電変換装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭61-089636
特開平4-067654
特開昭59-013589

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