特許

J-GLOBAL ID：200903029844888434

半導体装置における素子分離領域の形成方法

発明者： 中村 稔之
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 幸男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379553
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184772
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に素子分離領域を確実に形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10の表面を部分的に酸化抑制膜12aで覆い、該酸化抑制膜から露出した半導体基板表面に熱処理を施す。この熱処理は、酸素及び水素を含むガス雰囲気下で行われる湿式熱処理と、該湿式熱処理後に水素が排除された雰囲気下で行われる乾式熱処理とからなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を酸化抑制膜で部分的に覆った状態で前記表面の前記酸化抑制膜から露出した領域に熱酸化処理を施してフィールド酸化膜を形成してなる素子分離領域の形成方法であって、前記熱酸化処理は、酸素および水素を含むガス雰囲気下での第1の熱処理と、該熱処理に引き続く前記水素が排除されたガス雰囲気下での第2の熱処理とを含むことを特徴とする、半導体装置における素子分離領域の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 M

Fターム (19件)：

4M108AA09 ,  4M108AB04 ,  4M108AB09 ,  4M108AB13 ,  4M108AC01 ,  4M108AC13 ,  4M108AC14 ,  4M108AC20 ,  4M108AC21 ,  4M108AC22 ,  4M108AC34 ,  4M108AC42 ,  4M108AD13 ,  5F032AA13 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA30 ,  5F032DA53

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子の素子分離膜製造方法及びこれを利用した半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-156873   出願人：現代電子産業株式会社
• 半導体素子のフィールド酸化膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-360768   出願人：現代電子産業株式会社