特許
J-GLOBAL ID:200903029885758138

研磨パッド

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-022287
公開番号(公開出願番号):特開2004-235446
出願日: 2003年01月30日
公開日(公表日): 2004年08月19日
要約:
【課題】樹脂中に微粒子砥粒が分散された研磨層を有し、スラリーを使用しない研磨パッドにおいて、スクラッチの発生が少なく、研磨層の寿命が良好で研磨レートが安定した半導体ウエハ研磨用パッドを提供する。【解決手段】樹脂中に微粒子砥粒が分散された研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記樹脂が20〜1500eq/tonの範囲でイオン性基を含有する樹脂であり、かつガラス転移温度が60°C以上の樹脂(A)と30°C以下の樹脂(B)とを混合したものであり、前記樹脂(A)が全樹脂量に対して50〜70質量%であることを特徴とする研磨パッド。【選択図】なし
請求項(抜粋):
樹脂中に微粒子砥粒が分散された研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記樹脂が20〜1500eq/tonの範囲でイオン性基を含有する樹脂であり、かつガラス転移温度が60°C以上の樹脂(A)と30°C以下の樹脂(B)とを混合したものであり、前記樹脂(A)が全樹脂量に対して50〜70質量%であることを特徴とする研磨パッド。
IPC (4件):
H01L21/304 ,  B24B29/02 ,  B24D3/00 ,  B24D3/28
FI (5件):
H01L21/304 622F ,  B24B29/02 ,  B24D3/00 330Z ,  B24D3/00 350 ,  B24D3/28
Fターム (16件):
3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C063AB05 ,  3C063BB01 ,  3C063BB02 ,  3C063BB03 ,  3C063BB04 ,  3C063BB07 ,  3C063BC03 ,  3C063BG01 ,  3C063BG08 ,  3C063CC16 ,  3C063EE10 ,  3C063FF23 ,  3C063FF30
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 溝付研磨パッド
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-159839   出願人:旭化成工業株式会社

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