特許
J-GLOBAL ID：200903029893125268
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-244020
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087502
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】有機シロキサン膜(層間絶縁膜)の利点である低誘電率特性を損なわずに多層配線を形成すること。【解決手段】金属配線4上に有機シロキサン膜5、シリコン窒化膜6、無機シロキサン膜7、レジストパターン8を順次形成し、次にレジストパターン8をマスクにして無機シロキサン膜7をエッチングし、レジストパターン8のパターンを無機シロキサン膜7に転写し、次にシリコン窒化膜6を有機シロキサン膜5の保護マスクに用いて、レジストパターン8を酸素プラズマにより除去し、次に無機シロキサン膜7をマスクにしてシリコン窒化膜6、有機シロキサン膜5をエッチングし、第1の金属配線4に達する接続孔を形成し、次に無機シロキサン膜7を除去した後、接続孔を介して金属配線4に接続する金属配線10を形成する。
請求項（抜粋）：
第1の配線層が形成された下地上に前記第1の配線層を覆う第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜、第3の絶縁膜を順次形成する工程と、前記第3の絶縁膜上に、前記第1の配線層に対する接続孔に対応した開口パターンを有する第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜に対しての耐エッチングマスクに用い、前記第1のレジストパターンをマスクにして前記第3の絶縁膜を選択的にエッチングし、前記第1のレジストパターンのパターンを前記第3の絶縁膜に転写する工程と、前記第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜の保護マスクに用いて、前記第1のレジストパターンを除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/90 A
, H01L 21/90 C
