半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172056
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017008
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】酸素プラズマ処理に弱い層間絶縁膜を使用する時レジスト剥離時の酸素プラズマにさらされない層間絶縁膜の加工方法を提供する。【解決手段】酸素プラズマ耐性のない絶縁膜を形成後、その上層に酸素プラズマ耐性のある膜を形成する。フォトレジストで酸素プラズマ耐性のある膜のみを微細加工しフォトレジストを酸素プラズマで除去する。その後酸素プラズマ耐性のある膜をマスクにして酸素プラズマのない膜を加工する半導体装置の製造方法。酸素プラズマ耐性のある膜が金属膜の場合はマスクは残しておき、後の金属膜形成後加工部以外を除去する化学研磨工程で取り去る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された酸素プラズマ耐性のない絶縁膜を少なくとも一部に含む絶縁層上に、酸素プラズマ耐性のある絶縁膜を形成する工程と、前記酸素プラズマ耐性のある絶縁膜上にパターニングされたフォトレジスト膜を形成する工程と、前記パターニングされたフォトレジスト膜をマスクにして前記酸素プラズマ耐性のある絶縁膜を加工する工程と、酸素を含有するプラズマにより前記フォトレジスト膜を除去する工程と、前記酸素プラズマ耐性のある絶縁膜をマスクにして前記絶縁層を加工する工程と、前記酸素プラズマ耐性のある絶縁膜の少なくとも一部を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/302 L , H01L 21/90 V

引用特許：

審査官引用 (2件)

埋込プラグの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-150751 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平3-203240

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