半導体ダイヤモンド及びその形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214192
公開番号（公開出願番号）：特開平7-069794
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：

【要約】【構成】ダイヤモンド中に窒素原子が1×1019cm-3以上ドーピングされたn型半導体ダイヤモンド。【効果】室温〜600°Cの温度範囲でキャリア濃度にほとんど温度依存性がなく、しかもダイヤモンド中のキャリアの密度を制御して形成可能なn型半導体ダイヤモンドが提供される。この低抵抗のn型半導体ダイヤモンドは、例えば、室温から高温までの温度範囲で、あるいは放射線照射下、および/又は高出力での動作で安定したダイオード特性、トランジスタ特性等を示す半導体デバイスに応用することが可能である。

請求項（抜粋）：