特許

J-GLOBAL ID：200903029905649500

半導体ダイヤモンド及びその形成方法

発明者： 西林 良樹 ,  富川 唯司 ,  鹿田 真一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214192
公開番号（公開出願番号）：特開平7-069794
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：

【要約】【構成】 ダイヤモンド中に窒素原子が1×1019cm-3以上ドーピングされたn型半導体ダイヤモンド。【効果】 室温〜600°Cの温度範囲でキャリア濃度にほとんど温度依存性がなく、しかもダイヤモンド中のキャリアの密度を制御して形成可能なn型半導体ダイヤモンドが提供される。この低抵抗のn型半導体ダイヤモンドは、例えば、室温から高温までの温度範囲で、あるいは放射線照射下、および/又は高出力での動作で安定したダイオード特性、トランジスタ特性等を示す半導体デバイスに応用することが可能である。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド中に窒素原子が1×1019cm-3以上ドーピングされた半導体ダイヤモンド。

IPC (2件)：

C30B 29/04 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180899   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平4-238895
  
• 特開平4-266020