特許
J-GLOBAL ID：200903029912188977
フラッシュメモリのプログラミング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-000059
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189084
出願日： 2001年01月04日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 セル当りプログム電流を減らすことができ、素子の信頼性及び製造歩留りを向上させることができるフラッシュメモリのプログラミング方法を提供すること。【解決手段】 ゲート及びドレインに所定の電圧(Vg、Vd)を印加し、ソース及び基板を接地電位に維持させた状態で、ゲートまたはドレインのいずれか一方の端子に所定の電圧(VgまたはVd)を印加し、他方の端子に電圧(VdまたはVg)を2段階以上に変化させて印加する。
請求項（抜粋）：
ゲート及びドレインに所定の電圧を印加し、ソース及び基板を接地電位に維持して、フラッシュメモリのプログラミングを行う方法において、ゲートまたはドレインのいずれか一方の端子に所定の電圧を印加した状態で、他方の端子に2段階以上で電圧を変化させて印加することを特徴とするフラッシュメモリのプログラミング方法。
引用特許：
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