トレンチ接触法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087710
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】マスクの数が少ないトレンチ法、及び従来法の問題点を低減したMOSFETを提供することである。【解決手段】マスクの数を減らし、トレンチチャネル領域内への横拡散の必要性を排除するトレンチとプレ-ナMOSFET(UMOS)、トレンチとプレ-ナIGBT、及びトレンチMCTのようなトレンチを有する半導体デバイスに接点を作るトレンチ法。トレンチMOSFETにおける寄生トランジスタの制御もできる。ソ-スブロック及びP+マスクを必要とする従来の方法と比較してセルのサイズ/ピッチが小さくなる。

請求項（抜粋）：

第1の極性の半導体を提供し;該半導体の表面に第1のマスクを提供して該半導体上に活性領域を限定し;該活性領域マスクによって露出された表面に第2の半導体極性の不純物を注入し、かつ該半導体を焼鈍して第2の極性の半導体不純物を駆動させて半導体に第2の極性領域を作り;チャネル領域に第1の極性の不純物を注入し、かつ半導体を焼鈍して第1の極性不純物を該チャネル領域に駆動させて半導体の表面に隣接する第1の極性表面領域を作り;露出表面にトレンチ領域を限定する第2のマスクを提供し;前記第2のマスク、ソ-ス領域及びチャネル領域を下方に通って半導体に延在する間隔をもつ第1及び第2のトレンチを形成し;半導体の露出上表面及び第1及び第2のトレンチの壁及び底部の上にゲ-ト酸化物層を形成し;第1及び第2のトレンチを完全に充てんするゲ-ト酸化物層の上に多結晶シリコン層を提供し;前記活性領域より大きい部分を限定する第3のマスクを提供して後のゲ-ト接触用の多結晶シリコンを保護し;第3のマスクによって保護されなかった部分のゲ-ト酸化物の上に重なる多結晶シリコンをエッチングバックして多結晶シリコンを充てんしたトレンチを残し;半導体、ゲ-ト酸化物層、及び第1及び第2のトレンチの露出表面の上にBPSGの層を形成し;該BPSG層の上に第4のマスクを形成して第1及び第2のトレンチの中間に第3のトレンチを限定し;第3のトレンチの底部に露出された半導体の表面に第2の極性の不純物を注入し、かつ該半導体を焼鈍して、第2の極性の不純物を半導体内に駆動させて、チャネル領域における第2の極性の不純物の密度より高い密度を与えて第3のトレンチの底部に隣接する高濃度領域を作り;及びBPSG層と第3のトレンチの部分の両方に重なる金属層を形成して、第1の極性層及び第2の極性層との電気接点を作る工程から成ることを特徴とする導体形成用トレンチを使用する半導体デバイスの製造法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/74 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 653 A , H01L 29/74 N , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 652 D , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 658 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-109775
特開平3-109775
炭化けい素たて型MOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-303159 出願人：富士電機株式会社

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