特許
J-GLOBAL ID：200903029922835105
半導体ウエハ表面不純物の回収方法および回収装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
机 昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341531
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142542
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】金属不純物で汚染された半導体ウエハ表面に滴下した不純物回収液の回収走査時間の短縮を図る。【解決手段】疎水性処理を施した半導体ウエハ1の表面に回収液を滴下し(a)、滴下されて表面張力により球状の液滴2となった回収液に走査板6を回転させて押圧接触させ(a)、液滴2を表面張力を維持したまま半導体ウエハ1の半径方向に細長く広げて細長液滴2aを形成し(b)、細長液滴2aを半導体ウエハ1の表面に接触させながら相対的に回転走査(b)させて細長液滴2aに不純物を取り込み、不純物を取り込んだ後、走査板6の一端をゆっくり持ち上げ(c)、細長液滴2aを元の球状の液滴2に戻し(c)、球状に戻った回収液を半導体ウエハ1の表面上から回収する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ表面及び半導体ウエハ上に形成された薄膜中に存在する不純物を回収し分析を行なうための半導体ウエハ表面不純物の回収方法において、疎水性処理を施した半導体ウエハ表面に回収液を滴下する工程と、滴下されて表面張力により球状となった回収液を表面張力を維持したまま前記半導体ウエハ半径方向に細長く広げる工程と、細長く広げた回収液を前記半導体ウエハ表面に接触させながら相対的に回転走査させ回収液に不純物を取り込む工程と、不純物を取り込んだ後細長く広がった回収液を元の球状に戻す工程と、球状に戻った回収液を前記半導体ウエハ表面上から回収する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハ表面不純物の回収方法。
Fターム (5件)：
4M106AA01
, 4M106BA12
, 4M106CB01
, 4M106DJ04
, 4M106DJ06
