特許
J-GLOBAL ID：200903029928397800

半導体装置およびその製造方法

発明者：
長山 哲治

長山 哲治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157177
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012723
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 セルフアラインコンタクトホール開口時における、レジストマスクのアライメントずれにともなうLOCOSの突き抜けを防止する。【解決手段】 LOCOS7のバーズビーク上に、エッチングストッパ層12を選択的に形成しておく。このエッチングストッパ層12の材料は、酸化シリコンとの選択比が得られる窒化シリコン、多結晶シリコンあるいは遷移金属等が選ばれる。サリサイドプロセスと併用してもよい。【効果】 セルフアラインコンタクトホール10開口用のレジスト露光時のアライメントがLOCOS7側にずれても、LOCOSあるいはそのバーズビークのエッチングが有効に防止される。したがって、接合リーク電流の増大を防止した、信頼性の高い高集積度半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
請求項（抜粋）：
少なくともLOCOSにより端縁を区画された不純物拡散領域上の層間絶縁膜に、前記不純物拡散領域に臨んで自己整合的に形成されたコンタクトホールを有する半導体装置において、前記LOCOSのバーズビーク上に選択的に残置形成されたエッチングストッパ層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 21/90 D ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 301 X
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平4-072729
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-203411   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開昭61-170029
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