半導体素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-346581
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189972
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】別途LDD領域を形成せず、チャネル領域に、LDD領域と同様な効果を持つ領域を形成した半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板11と、半導体基板11上に形成され、固定電荷15がチャージアップしたゲート酸化膜12と、ゲート酸化膜12上に形成されたゲート電極13と、ゲート電極13両側の半導体基板11に形成されたソース/ドレイン領域14とを含んでなることを特徴とする半導体素子を製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、固定電荷がチャージアップしたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極両側の半導体基板に形成されたソース/ドレイン領域とを含んでなることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 Y , H01L 27/08 321 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-067256 出願人：日本電気株式会社
特開平1-296670
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-109212 出願人：三菱電機株式会社

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