特許

J-GLOBAL ID：200903029953163482

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 北村 賢次 ,  牧田 俊幸 ,  宮田 靖孝 ,  福井 太郎 ,  日野 裕久
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194470
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040589
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 気泡の発生を低減して封止することができると共に生産性高く製造を行なうことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板3に半導体素子1を搭載し、開口部6を設けて形成したマスク5を開口部6の内側に半導体素子1を位置させて配線基板3に重ねる。そして、マスク5の上に供給された封止材料4を減圧条件下でスキージ7で擦ることによってマスク5の開口部6を通して封止材料4を配線基板3に印刷すると共に封止材料4で半導体素子1を封止する。封止材料4はスキージ7で擦り付けることによってマスク5の開口部6を通して流れ、半導体素子1と配線基板3の狭い隙間に押し込まれるようにして充填される。またマスク5とスキージ7を用いた印刷は減圧雰囲気下で行なわれ、スキージ7で封止材料4を擦り付けて印刷を行なう際に空気が封止材料4に巻き込まれるようなことがなくなる。

請求項（抜粋）：

配線基板に半導体素子を搭載し、開口部を設けて形成したマスクを開口部の内側に半導体素子を位置させて配線基板に重ね、マスクの上に供給された封止材料を減圧条件下でスキージで擦ることによってマスクの開口部を通して封止材料を印刷すると共に封止材料で半導体素子を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  B05D 1/28

FI (2件)：

H01L 21/56 E ,  B05D 1/28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電気部品の樹脂封止法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275892   出願人：日本レツク株式会社
• 特開昭55-078551
  
• 特開昭58-107641