特許

J-GLOBAL ID：200903029955992524

半導体ウェハダイシング用保護シート及びそれを用いた半導体ウェハのダイシング方法

発明者： 宮川 誠史 ,  浦川 俊也 ,  才本 芳久
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-174302
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004836
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】半導体ウェハの回路形成面に非常大きな凹凸を有しているものをダイシング加工する場合であっても、半導体ウェハの破損を防止し得る半導体ウェハダイシング用保護シート及び該保護シートを用いた半導体ウェハのダイシング方法を提供する。【解決手段】主面に半導体集積回路が形成された半導体ウェハのダイシングに際して、主面に貼着して用いる半導体ウェハダイシング用保護シートであって、基材シートの片面に、(a)密度が800〜890kg/m3であり、(b)40°Cにおける降伏応力が1×107Pa以下であり、且つ、(c)25°Cにおける貯蔵弾性率E ́が1×106Pa以上である樹脂層(A)を備えてなることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

主面に半導体集積回路が形成された半導体ウェハのダイシングに際して、主面に貼着して用いる半導体ウェハダイシング用保護シートであって、 基材シートの片面に、(a)密度が800〜890kg/m3であり、(b)40°Cにおける降伏応力が1×107Pa以下であり、且つ、(c)25°Cにおける貯蔵弾性率E ́が1×106Pa以上である樹脂層(A)を備えてなることを特徴とする半導体ウェハダイシング用保護シート。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (1件)：

H01L21/78 M

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-298063号公報
  
• ウェハダイシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-126494   出願人：日本放送協会, 松下電器産業株式会社