特許
J-GLOBAL ID：200903029961841228
ITO膜を形成した基板及びITO膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005313
公開番号（公開出願番号）：特開平9-194232
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：
【要約】【課題】 大型で高性能のカラー液晶ディスプレイ用のカラーフィルター基板に形成されるITO膜として、十分に薄く且つ低抵抗なものがない。【解決手段】 プラズマビーム発生部3と、被蒸発物質をセットするハース20と、このハースの周囲にハースと同軸上に配置される環状永久磁石及び環状電磁コイルを内蔵した補助ハース21とを備えた蒸着装置を用い、放電電圧を70V以上100V未満とすることで、基板W表面に形成されるITO膜の表面の10点平均粗さ(RZ値)を4.0nm以上15.0nm未満とする。
請求項（抜粋）：
プラズマビーム発生部と、被蒸発物質をセットするハースと、このハースの周囲にハースと同軸上に配置される環状永久磁石及び環状電磁コイルとを備えた蒸着装置を用い、前記被蒸発物質を酸化インジウム(In2O3)と酸化錫(SnO2)との混合物とし、前記環状永久磁石によって形成される磁界に対し、前記環状電磁コイルによって形成される磁界を重畳し、前記プラズマビーム発生部からのプラズマビームを酸化インジウム(In2O3)と酸化錫(SnO2)との混合物に照射して蒸発・イオン化せしめ、これをITO(インジウム錫酸化物)膜として表面に蒸着した基板であって、前記ITO膜の表面の10点平均粗さ(RZ値)が4.0nm以上15.0nm未満であることを特徴とするITO膜を形成した基板。
IPC (4件)：
C03C 17/245
, C23C 14/08
, G02F 1/1343
, H05H 1/46
C03C 17/245 Z
, C23C 14/08 D
, G02F 1/1343
, H05H 1/46 A
