電界放出型電子源及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川口義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204350
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047296
出願日： 1991年08月14日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】電界放出型電子源において、電子放出する電子放出冷陰極チップの数を増加させて放出電流の増大及び放出電流の安定化を計る。【構成】 P型シリコン基板を使用した基板電極10と電圧印加用電極として用いられるゲート電極11との間に、絶縁層12が挟まれて積層されている。ゲート電極11及び絶縁層12には多数の貫通穴13がアレイ状に形成されている。これらの穴13の一端は基板電極10によって塞がれている。各穴13の内部の基板電極10の上には、それぞれ電気抵抗層15が形成されている。これらの電気抵抗層15は、ほぼ円錐台の形状をしている。電気抵抗層15は、シリコン及びモリブデンを材料とする複合材料層であり、その抵抗値は1k〜200kΩ の範囲で設定可能である。基板電極10とは反対側で各電気抵抗層15の上に、モリブデン製で円錐形状の電子放出冷陰極チップ14がそれぞれ形成されており、各電子放出冷陰極チップ14の先端はゲート電極11の上面(絶縁層12と反対側の面)と同一レベル程度の高さになるようになされている。

請求項（抜粋）：

基板電極と、該基板電極の上に形成された少なくとも1つの電気抵抗層と、該電気抵抗層の上に形成されており、該電気抵抗層を介して前記基板電極に電気的に接続された複数の電子放出冷陰極チップと、前記基板電極に対向して設けられた少なくとも1つの電圧印加用電極とを備えたことを特徴とする電界放出型電子源。

IPC (3件)：

H01J 1/30 , H01J 9/02 , H01J 19/24

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-154426
特表平5-504022
特開平4-138636

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