特許

J-GLOBAL ID：200903030013484696

エネルギー線検出素子

発明者： 藤井 義磨郎 ,  坂本 明
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-161549
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339360
出願日： 2005年06月01日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】エネルギー線の種類を弁別するためのエネルギー線検出素子において、空乏層の厚みを精度良く調整できるようにすると共に暗電流の増加を抑制できるようにすること。【解決手段】第1の表面S1及び第2の表面S2を有している第1導電型の第1半導体基板2と、第1の表面S1に貼着されており第1半導体基板2と異なる面方位を有すると共に第1半導体基板2よりも厚い第1導電型の第2半導体基板3と、表面S2に貼着されており第2半導体基板3よりも厚い第1導電型の第3半導体基板4と、第1半導体基板2に電気的に接続されたカソード電極10と、素子の二つの表面に設けられたアノード電極9,14及びカソード電極15とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の表面及び第2の表面を有しており第1導電型の第1半導体基板と、 前記第1半導体基板の前記第1の表面に貼着されており該第1半導体基板と異なる面方位を有すると共に該第1半導体基板よりも厚い第1導電型の第2半導体基板と、 前記第1半導体基板の前記第2の表面に貼着されており前記第2半導体基板よりも厚い第1導電型の第3半導体基板と、 前記第1半導体基板と電気的に接続された共通電極と、 前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板のそれぞれに対して設けられ、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板のそれぞれが有する第2導電型の不純物添加領域と電気的に接続された信号取り出し電極と を備え、 前記不純物添加領域は、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板の各々が有する表面のうち、前記第1半導体基板が貼着された表面に対向する表面に設けられ、 前記第1半導体基板は、前記第2半導体基板及び前記第3半導体基板に比較して前記第1導電型の不純物濃度が高い ことを特徴とするエネルギー線検出素子。

IPC (4件)：

H01L 31/09 ,  H01L 21/02 ,  G01T 1/24 ,  G01T 1/38

FI (4件)：

H01L31/00 A ,  H01L21/02 B ,  G01T1/24 ,  G01T1/38

Fターム (25件)：

2G088EE30 ,  2G088FF05 ,  2G088FF06 ,  2G088FF11 ,  2G088FF15 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088KK28 ,  2G088KK29 ,  2G088KK40 ,  2G088LL05 ,  2G088LL11 ,  2G088LL30 ,  5F088AA03 ,  5F088AB03 ,  5F088BA04 ,  5F088BB06 ,  5F088BB10 ,  5F088CB10 ,  5F088CB14 ,  5F088CB20 ,  5F088HA12 ,  5F088HA13 ,  5F088LA07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体放射線検出装置及び半導体放射線検出器並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-314293   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭56-129380号公報