特許

J-GLOBAL ID：200903030015807506

集積回路

発明者： ナイジェル・ジー・ケーブ ,  キャスリーン・シー・ユ ,  ジャノス・ファーカス
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150521
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率の誘電体材料を用いた信頼性の高い集積回路を提供する。【解決手段】 本発明の一実施例では、導電性支持構造(112)をレベル間誘電体層内に形成する。導電性支持構造(112)は、集積回路のボンド・パッド領域(111)内部に位置し、ヤング率が低いレベル間誘電体層の部分に対する支持を与える。集積回路の素子領域(109)内に金属相互接続部を形成するために用いるのと同じプロセスを用いて、導電性支持構造(112)を形成するが、素子領域(109)内部にある半導体素子には電気的に結合しない。導電性支持構造(114)は、スクライブ・ライン領域(104)内部にも形成し、集積回路のこの領域内にあるレベル間誘電体層に対する支持も与える。

請求項（抜粋）：

集積回路であって:半導体基板(12)であって、素子領域(109)およびボンド・パッド領域(111)を有する半導体基板(12);前記ボンド・パッド領域(111)上の第1誘電体層(24,32,36,44,48)であって、約15.0ギガパスカル未満のヤング率を有する第1誘電体層(24,32,36,44,48);前記ボンド・パッド領域(111)内に位置し、前記第1誘電体層(24,32,36,44,48)上にある第1導電性ボンド・パッド(90,88)であって、外周を有する第1導電性ボンド・パッド(90,88);および前記ボンド・パッド領域(111)内にあり、前記第1誘電体層(24,32,36,44,48)を介して延在する複数の第1導電性支持構造(28,40,52)であって、前記第1導電性ボンド・パッド(90,88)の外周の外側に位置し、前記第1導電性ボンド・パッド(90,88)から電気的に絶縁されている複数の第1導電性支持構造(28,40,52);から成ることを特徴とする集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 27/04 T

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-318571   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-038043
  
• 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-033388   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049085   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-318571   出願人：三菱電機株式会社