特許
J-GLOBAL ID：200903068988389667

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松浦 正純

松浦 正純 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318571
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150429
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 製造工程を増加することなく外気中の水の侵入を防止することができ、低誘電率膜からなる層間絶縁膜を用いた半導体装置においても良好な特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の金属配線5とともにバリア層11aを形成し、接続孔部7および第2の配線層6とともに、バリア層11a上にバリア層11b,11cを形成することにより、シリコン基板上の多層配線層部5,6,7とダイシングライン部10との間に、バリア層11を多層配線層部5,6,7と同時に形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に素子部および配線部を設け、上記配線部が絶縁膜と上記絶縁膜中に埋め込まれた金属とを備え、上記シリコン基板をダイシングラインによって切断し、上記素子部および配線部を含む半導体チップに分割する半導体装置において、上記配線部の絶縁膜の延長部で、上記ダイシングラインと上記配線部との間に上記金属からなるバリア層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 21/78 Q ,  H01L 21/90 J
Fターム (21件)：
5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP18 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV01 ,  5F033XX18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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