特許

J-GLOBAL ID：200903030023288267

窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子

発明者： 木村 明隆 ,  砂川 晴夫 ,  仁道 正明 ,  笹岡 千秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-156795
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008437
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 結晶性が良くかつクラック密度の小さく、サファイア基板上に基板とへき開面が一致する窒化ガリウム系化合物半導体層を形成するための結晶成長方法を提供し、結晶性がよく、歩留まりの高い窒化ガリウム系発光素子を実現する。【解決手段】 基板としてC面サファイア基板を用い、かつ、低温成長バッファ層としてIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0.894≦x<1)を用い、サファイア基板と高温成長エピタキシャル層のへき開面を一致させる。さらに、低温成長バッファ層の第2層としてAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0≦x<1)を用い、In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N低温成長バッファ層中のインジウムの再蒸発を抑制する。

請求項（抜粋）：

(0001)面または(0001)面からの傾斜角が5°以内である面を表面とするサファイア基板上の表面にIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N層(0.894≦x<1)を形成する工程と、続いて窒化ガリウムまたは窒化インジウムまたは窒化アルミニウムまたはそれらの混晶を成長する工程を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235013   出願人：ローム株式会社