特許
J-GLOBAL ID：200903085533658742

半導体発光素子

発明者：
尺田 幸男

尺田 幸男 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235013
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097469
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 サファイア基板などの表面のバッファ層の歪を一層小さくして結晶欠陥や転位の発生を抑制し、発光に寄与する半導体層への結晶欠陥や転位の進展を防止した高特性で長寿命の半導体発光素子を提供する。【構成】 基板1上にバッファ層2、3を介して少なくともn型層4およびp型層6を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側がIn、PまたはAsを含有するチッ化ガリウム系化合物半導体層からなっている。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を介して少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側がIn、PおよびAsよりなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含有するチッ化ガリウム系化合物半導体層である半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (6件)
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