特許
J-GLOBAL ID:200903030057542162
固体撮像素子およびその駆動方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-001025
公開番号(公開出願番号):特開2001-197367
出願日: 2000年01月06日
公開日(公表日): 2001年07月19日
要約:
【要約】【課題】本発明は、汎用CMOSプロセスで電荷-電圧変換効率を向上させることができるようにしたCMOSイメージ一ジセンサの画素として適用可能な固体撮像素子およびその駆動方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様によると、画素を複数有する固体撮像素子であり、上記画素は、p-n接合のフォトダイオードと、上記フォトダイオードで発生した電荷を検出容量に転送する転送トランジスタと、上記検出容量をリセットするリセットトランジスタを具備し、上記転送トランジスタは、ハイレベルの電圧が上記リセットトランジスタを駆動するパルスのハイレベルの電圧より低いパルスで駆動されることを特徴とする固体撮像素子が提供される。
請求項(抜粋):
画素を複数有する固体撮像素子であり、上記画素は、p-n接合のフォトダイオードと、上記フォトダイオードで発生した電荷を検出容量に転送する転送トランジスタと、上記検出容量をリセットするリセットトランジスタを具備し、上記転送トランジスタは、ハイレベルの電圧が上記リセットトランジスタを駆動するパルスのハイレベルの電圧より低いパルスで駆動されることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件):
FI (3件):
H04N 5/335 E
, H04N 5/335 Z
, H01L 27/14 A
Fターム (14件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DB09
, 4M118DB10
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 5C024CX41
, 5C024GX03
, 5C024GY35
, 5C024GY38
, 5C024GZ20
引用特許: