特許

J-GLOBAL ID：200903030069092847

絶縁体とその製造方法及び超電導体薄膜とその製造方法

発明者： 市川 洋 ,  足立 秀明 ,  瀬恒 謙太郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-016187
公開番号（公開出願番号）：特開平7-223818
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 膜厚数10nm程度でも特性を補償する絶縁体とその製造方法及び安定な超電導体薄膜とその製造方法を提供する。【構成】 スパッタリングターゲットとして、BiメタルディスクターゲットとBi-Pb-Ti-O焼成ディスクターゲットを用いる。基体として、既にMgO(100)上に形成したBi-Sr-Ca-Cu-O超電導体薄膜を用いる。アルゴン・酸素(4:1)混合雰囲気1.0Paのガス中で各ターゲットのスパッタリングを行い、650°Cに加熱した基体の上に、(Bi-O)→(Bi-Pb-Ti-O)→(Bi-O)のサイクルでBi-Pb-Ti-O誘電体薄膜を作製する。

請求項（抜粋）：

主体成分として少なくともビスマス(Bi)、鉛(Pb)、チタン(Ti)及び酸素(O)を含む薄膜の積層体からなる絶縁体。

IPC (7件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/45 ZAA ,  H01B 3/12 318 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-298257
  
• 特開平2-298257
  
• 特開平2-298257
  
• 特開平2-298257