層間コンタクトの形成方法及びその構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153379
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079426
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】導電層にコンタクト用のマージン部分を設けずにすみ、レイアウト面積を縮小させられて更なる高集積化に対応可能な層間コンタクトの形成方法を提供する。【解決手段】下部導電層501の形成後にエッチ防止膜502を設けてからその上に絶縁層503を形成し、該絶縁層503をエッチしてコンタクトホール505を形成した後に該コンタクトホール505内のエッチ防止膜502を除去し、そしてこのコンタクトホール505により下部導電層501へ接続する上部導電層506を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置における層間コンタクトの形成方法において、下部導電層の形成後にエッチ防止膜を設けてからその上に絶縁層を形成し、該絶縁層をエッチしてコンタクトホールを形成した後に該コンタクトホール内の前記エッチ防止膜を除去し、そしてこのコンタクトホールにより前記下部導電層へ接続する上部導電層を形成するようにしたことを特徴とする層間コンタクトの形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-259241
特開昭59-195844
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-291962 出願人：日本電気株式会社

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