特許
J-GLOBAL ID：200903030075665840
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299127
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091477
出願日： 1994年08月17日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】高温信頼性,赤外リフロー時における耐熱性,難燃性および安全性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】熱硬化性樹脂〔(I)成分〕と硬化剤〔(II)成分〕とともに、下記の(III)および(IV)成分を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止することにより得られる半導体装置である。(III)下記の一般式(1)で表される金属水酸化物。【化1】n(Ma Ob )・cH2 O ・・・(1)〔上記式(1)において、Mは金属元素であり、a,b,cは正数、nは1以上の正数である。ただし、Ma Ob の繰り返し時において、Mは同種であってもよく異種であってもよい。また、a,bは互いに同一の値であってもよいし異なる値であってもよい。〕(IV)下記の一般式(2)で表される金属酸化物。【化2】n′(Qd Oe ) ・・・(2)〔上記式(2)において、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素であり、d,eは正数、n′は1以上の正数である。ただし、Qd Oe の繰り返し時においてQは同種であってもよく異種であってもよい。また、d,eは互いに同一の値であってもよいし異なる値であってもよい。〕
請求項（抜粋）：
下記の(I)〜(IV)成分を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(I)熱硬化性樹脂。(II)硬化剤。(III)下記の一般式(1)で表される金属水酸化物。【化1】n(Ma Ob )・cH2 O ・・・(1)〔上記式(1)において、Mは金属元素であり、a,b,cは正数、nは1以上の正数である。ただし、Ma Ob の繰り返し時において、Mは同種であってもよく異種であってもよい。また、a,bは互いに同一の値であってもよいし異なる値であってもよい。〕(IV)下記の一般式(2)で表される金属酸化物。【化2】n′(Qd Oe ) ・・・(2)〔上記式(2)において、Qは、周期律表のIVa,Va,VIa, VIIa,VIII,Ib,IIbから選ばれた族に属する金属元素であり、d,eは正数、n′は1以上の正数である。ただし、Qd Oe の繰り返し時においてQは同種であってもよく異種であってもよい。また、d,eは互いに同一の値であってもよいし異なる値であってもよい。〕
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08K 3/22
, C08L101/16
H01L 23/30 R
, C08K 3/22
, C08L101/00
