特許
J-GLOBAL ID：200903030094145513
MEMSファブリーペロ素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浜田 治雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-108476
公開番号（公開出願番号）：特開2004-191912
出願日： 2003年04月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】ファブリーペロ素子の平行部材を精密に位置決めするMEMSファブリーペロ素子の製造方法を提供する。【解決手段】薄膜堆積プロセスを利用して間隔保持部材を製造し、さらに、膜厚モニタによって間隔保持部材の厚さを制御することにより、光出力波形に影響を及ぼす各重要なプロセス変数を精確に制御でき、且つ、平行部材の表面の平面精度を確保でき、この方法によって製造されたMEMSファブリーペロ素子では所望の波形に符合するスぺクトラムを精確に濾過することができる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
二つの基板を提供するステップと、
前記二つの基板の表面の所定領域に堆積物を形成するステップと、
一膜厚モニタによって前記堆積物の厚さを制御するステップと、
前記二つの基板を、前記堆積物を隔てて結合させるステップと、
を含むMEMSファブリーペロ素子の製造方法であって、
前記堆積物の厚さが所望のキャビティ長さと同じであることを特徴とするMEMSファブリーペロ素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2H048GA07
, 2H048GA09
, 2H048GA13
, 2H048GA26
, 2H048GA48
, 2H048GA51
, 2H048GA60
