パターン形成材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125678
公開番号（公開出願番号）：特開平7-311464
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】任意の分子量に制御することができると共に、紫外光や遠紫外光に対しても十分な露光感度を有し、かつ光強度の低下を最小限に抑え、しかもウェハー製造工程中の真空工程における真空度の不安定化、プロセス雰囲気の汚染の誘発、ポリマーの溶解速度の遅速などが生じることがなく、パターンニングの不安定さが解消されて、超LSI等の製造に用いるパターン形成材料として好適なパターン形成材料を得る。【構成】下記示性式(1)で示され、分子量分布(重量平均分子量/数平均分子量)が1.0〜1.4である狭分散ポリマーを主成分としてパターン形成材料を調製する。(但し、式中Rは水素原子又はメチル基、m、nはそれぞれm+n=1となる正数である。)

請求項（抜粋）：

下記示性式(1)で示され、分子量分布(重量平均分子量/数平均分子量)が1.0〜1.4である狭分散ポリマーを主成分としてなることを特徴とするパターン形成材料。【化1】(但し、式中Rは水素原子又はメチル基、m、nはそれぞれm+n=1となる正数である。)

IPC (5件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-161436
特開平2-177031
特開平4-211258

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