特許
J-GLOBAL ID：200903030102213566
埋め込みチャネル型NMOSトランジスターを有する半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357326
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251451
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 埋め込みチャネル型NMOSトランジスターを有する半導体装置のCMOS論理ゲートおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 このCMOS論理ゲートは入力電圧により作動され出力電圧をプルアップさせるプルアップ部と、このプルアップ部に連結され電源電圧により作動される埋め込みチャネル型NMOSトランジスターおよび前記埋め込みチャネル型NMOSトランジスターに連結されて入力電圧により作動され、出力電圧をプルダウンさせる表面チャネル型NMOSトランジスターとを有することによりCMOS論理ゲートの信頼性を向上する。
請求項（抜粋）：
入力電圧によって作動され出力電圧をプルアップさせるプルアップ部と、前記プルアップ部に連結され、電源電圧によって作動される埋め込みチャネル型NMOSトランジスターと、前記埋め込みチャネル型NMOSトランジスターに連結されて前記入力電圧によって作動され、前記出力電圧をプルダウンさせる表面チャネル型NMOSトランジスターとを含んでいることを特徴とする埋め込みチャネル型NMOSトランジスターを有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H03K 19/0948
H01L 27/08 321 C
, H03K 19/094 B
