蛍光X線分析装置及びそれを用いた半導体装置の評価システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 今村健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-139809
公開番号（公開出願番号）：特開2009-288016
出願日： 2008年05月28日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】基板中および基板上に存在する、基板とは元素組成が異なる領域の評価を、非破壊、高精度、短時間で行うことにより、半導体製造ラインの高性能化を計る。【解決手段】評価対象試料(基板等)4上に、例えばMoターゲットのX線源1からモノクロメータ2を介してX線3が低い角度で照射される。照射領域は、符号3aで示される領域である。さらに、この装置には、基板4の中心から延びる基板面の法線を回転軸とする面内回転機構(θz)と、y軸に関して入射X線の入射角度(α1)を変更することができる傾斜角度変更機構と、基板面における測定位置を変更できる移動機構とを有している。特に重要なことは、基板4のうちのある面積だけにX線を照射することができ、この領域3aを変更することができるように構成されている点である。評価は、試料から放出された蛍光X線の強度を測定することにより行われる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板中および/または基板上に設けられ、前記基板とは元素組成が異なる領域の評価方法であって、評価対象試料にX線を照射するステップと、照射されたX線により励起される照射領域における構成元素からの蛍光X線の強度と、(同様の方法で得られた)基準試料の対応する前記構成元素からの蛍光X線強度とを比較するステップ、または、評価対象試料間あるいは2点以上の同一試料内の蛍光X線強度を比較するステップと、を有することを特徴とする蛍光X線分析方法。

IPC (2件)：

G01N 23/223 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N23/223 , H01L21/66 P , H01L21/66 N

Fターム (22件)：

2G001AA01 , 2G001BA04 , 2G001CA01 , 2G001GA04 , 2G001HA03 , 2G001JA08 , 2G001JA16 , 2G001KA01 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001NA03 , 2G001NA07 , 2G001NA11 , 2G001NA13 , 2G001NA17 , 2G001PA11 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106CA48 , 4M106CB02 , 4M106DH25 , 4M106DH34

引用特許：

出願人引用 (1件)

蛍光X線分析法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-297541 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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