特許
J-GLOBAL ID:200903030106811590
有機EL素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
谷 義一
, 阿部 和夫
, 橋本 傳一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-213092
公開番号(公開出願番号):特開2004-055404
出願日: 2002年07月22日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】本発明は、透明な陰極を形成する際の電子注入層へのダメージを抑制すると共に、この陰極側からの光の取り出し効率が低下しない有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に少なくとも陽極、有機EL層、および陰極とを形成して有機EL素子を製造する方法であって、有機EL層上に陰極を形成する前に、有機EL層上に陰極の構成元素のうちの少なくとも1つからなる薄膜層を形成し、次いで陰極を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法に関する。また、本発明は、この手法を利用したカラー有機EL素子の製造方法に関する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
基板上に少なくとも陽極、有機EL層、および陰極とを形成して有機EL素子を製造する方法であって、有機EL層上に陰極を形成する前に、有機EL層上に陰極の構成元素のうちの少なくとも1つからなる薄膜層を形成し、次いで陰極を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (6件):
H05B33/26
, C23C14/08
, G02B5/20
, H05B33/10
, H05B33/12
, H05B33/14
FI (6件):
H05B33/26 Z
, C23C14/08 D
, G02B5/20 101
, H05B33/10
, H05B33/12 E
, H05B33/14 A
Fターム (22件):
2H048BA11
, 2H048BB02
, 2H048BB04
, 2H048BB08
, 2H048BB24
, 3K007AB03
, 3K007AB18
, 3K007CB00
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 3K007FA03
, 4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029BA07
, 4K029BA13
, 4K029BA45
, 4K029BB02
, 4K029BC09
, 4K029BD09
, 4K029CA06
, 4K029EA01
引用特許:
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