特許
J-GLOBAL ID:200903030106811590

有機EL素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 谷 義一 ,  阿部 和夫 ,  橋本 傳一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-213092
公開番号(公開出願番号):特開2004-055404
出願日: 2002年07月22日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】本発明は、透明な陰極を形成する際の電子注入層へのダメージを抑制すると共に、この陰極側からの光の取り出し効率が低下しない有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に少なくとも陽極、有機EL層、および陰極とを形成して有機EL素子を製造する方法であって、有機EL層上に陰極を形成する前に、有機EL層上に陰極の構成元素のうちの少なくとも1つからなる薄膜層を形成し、次いで陰極を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法に関する。また、本発明は、この手法を利用したカラー有機EL素子の製造方法に関する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
基板上に少なくとも陽極、有機EL層、および陰極とを形成して有機EL素子を製造する方法であって、有機EL層上に陰極を形成する前に、有機EL層上に陰極の構成元素のうちの少なくとも1つからなる薄膜層を形成し、次いで陰極を形成することを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (6件):
H05B33/26 ,  C23C14/08 ,  G02B5/20 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14
FI (6件):
H05B33/26 Z ,  C23C14/08 D ,  G02B5/20 101 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 E ,  H05B33/14 A
Fターム (22件):
2H048BA11 ,  2H048BB02 ,  2H048BB04 ,  2H048BB08 ,  2H048BB24 ,  3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007CB00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA07 ,  4K029BA13 ,  4K029BA45 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029BD09 ,  4K029CA06 ,  4K029EA01
引用特許:
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る