特許

J-GLOBAL ID：200903030126356708

マイクロ波プラズマ付着源

発明者： マスュー・エム・ベセン ,  ロレンス・ブールジェ ,  ウィリアム・エム・ホルバー ,  ドナルド・ケイ・スミス ,  リチャード・エス・ポスト
出願人/特許権者： アプライド・サイエンス・アンド・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063500
公開番号（公開出願番号）：特開平7-268622
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：

【要約】【目的】 広面積にわたりそして種々の付着条件のもとで高い付着速度で種々の物質の高品質の膜を付着するためのシステムを提供することである。【構成】 マイクロ波エネルギでプラズマに賦活される物質を包含するための真空容器と、実質的に妨害されないマイクロ波放射の通過のためプラズマから遮へいされた誘電体窓部材を有する、前記容器内で終了する同軸マイクロ波供給路と、前記同軸供給路の端部の前記容器内のターゲットと、ターゲット物質を受容するため、容器内でターゲットから離間されたサブストレートと、ターゲットとサブストレートとの間に形成される、密集し拡張されたプラズマ空間に磁界を印加し、ターゲットからスパッタされそして拡張プラズマ空間を横断する物質をイオン化する確率を高める第1の磁石とを具備するマイクロ波プラズマ付着源。

請求項（抜粋）：

マイクロ波エネルギでプラズマに賦活される物質を包含するための真空容器と、実質的に妨害されないマイクロ波放射の通過のためプラズマから遮へいされた誘電体窓部材を有する前記容器内で終了する同軸マイクロ波供給路と、前記同軸供給路の端部の前記容器内のターゲットと、ターゲット物質を受容するため、容器内でターゲットから離間されたサブストレートと、ターゲットとサブストレートとの間に形成される、密集し拡張されたプラズマ空間に磁界を印加し、ターゲットからスパッタされそして拡張プラズマ空間を横断する物質をイオン化する確率を高める第1の磁石とを具備するマイクロ波プラズマ付着源。

IPC (4件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/06 ZAA ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• マイクロ波マグネトロンスパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-076455   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-050462
  
• 特開平3-253561
  
• 特開昭61-243171