特許

J-GLOBAL ID：200903030130489771

配線の形成方法

発明者： 菅井 和己 ,  岡林 秀和 ,  岸田 俊二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012979
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295904
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】口径が小さく、且つ高アスペクト比の接続孔内に段差被覆性にすぐれたアルミニウム膜を空隙なく堆積させて配線を形成し、半導体装置の信頼性を向上させる。【構成】表面を窒化チタン膜4で被覆したアスペクト比1を超す接続孔3を含む表面にジメチルアルミニウムハイドライドを原料とする低圧気相化学成長法により基板温度100〜180°Cの低温でアルミニウム膜を堆積させることにより、空隙のないアルミニウム膜5を形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けて表面を高融点金属膜又は高融点金属化合物膜で被覆したアスペクト比1を超える接続孔を含む表面に有機アルミニウムを原料として基板温度100°C乃至180°Cで気相化学成長によりアルミニウム膜を堆積することを特徴とする配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 16/20 ,  H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 堆積膜形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-165883   出願人：坪内和夫
• 特開平4-042527