特許

J-GLOBAL ID：200903030142439010

電力用半導体装置

発明者： 葛巻 淳彦 ,  餅川 宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-304774
公開番号（公開出願番号）：特開2006-158185
出願日： 2005年10月19日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】逆回復電流に起因するスイッチング損失を減少することができ、発熱損失を減少することができ、小型化を実現することができる電力用半導体装置を提供する。【解決手段】電力用半導体装置1において、カスコード素子20の電力用半導体スイッチング素子21のソース領域と負極端子11との間に複数直列接続された第1の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ22及び第2の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ23を備え、カスコード素子20に対して電気的に並列に高速ダイオード30を備える。電力用半導体スイッチング素子21はノーマリーオン型であり、第1の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ22及び第2の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ23はノーマリーオフ型である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

正極端子に主電極の一方が接続されたノーマリーオン型の電力用半導体スイッチング素子と、 前記電力用半導体スイッチング素子の主電極の他方と負極端子との間に電気的に直列に接続されたノーマリーオフ型の複数の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタと、を備えたカスコード素子と、 前記カスコード素子と電気的に並列に接続され、前記正極端子にカソード領域が接続され、前記負極端子にアノード領域が接続された高速ダイオードと、 を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (6件)：

H02M 1/08 ,  H03K 17/687 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (4件)：

H02M1/08 A ,  H03K17/687 A ,  H01L27/04 F ,  H01L27/08 311A

Fターム (36件)：

5F038AV01 ,  5F038AV04 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC02 ,  5F048AC09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BA15 ,  5H740BB01 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740KK01 ,  5H740PP02 ,  5H740PP03 ,  5J055AX12 ,  5J055AX44 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX09 ,  5J055DX22 ,  5J055DX74 ,  5J055DX81 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EZ07 ,  5J055GX01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-058414   出願人：株式会社トーキン